Failure mechanisms of Schottky gate contact degradation and deep traps creation in AlGaAs/InGaAs PM-HEMT submitted to accelerated life tests

MARTINES, GIOVANNI;
1998-01-01
1998
Inglese
MICROELECTRONICS RELIABILITY
38
1227
1232
6
G., Menghesso; G., Crosato; C., Garat; Martines, Giovanni; G., Paccagnella; E., Zanoni
1.1 Articolo in rivista
info:eu-repo/semantics/article
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262
6
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